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Pressure-Induced Phase Transition in La$_{1-x}$Sm$_{x}$O$_{0.5}$F$_{0.5}$BiS$_2$

机译:压力诱导的相变   拉$ _ {1-X} $钐$ _ {X} $ö$ _ {0.5} $ F $ _ {0.5} $ $清算银行_2 $

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摘要

Electrical resistivity measurements onLa$_{1-x}$Sm$_{x}$O$_{0.5}$F$_{0.5}$BiS$_{2}$ ($x$ = 0.1, 0.3, 0.6, 0.8) havebeen performed under applied pressures up to 2.6 GPa from 2 K to roomtemperature. The superconducting transition temperature $T$$_{c}$ of eachsample significantly increases at a Sm-concentration dependent pressure$P$$_{\rm t}$, indicating a pressure-induced phase transition from alow-$T$$_{c}$ to a high-$T$$_{c}$ phase. The compounds that have higher Smconcentrations have higher $T$$_{c}$ values at ambient pressure; however, the$T$$_{c}$ values at $P$ $>$ $P$$_{\rm t}$ decrease with $x$ and $P$$_{\rm t}$shifts to higher pressures with Sm substitution. In the normal state,semiconducting-like behavior is suppressed and metallic conduction is inducedwith increasing pressure in all of the samples. These results suggest that thepressure dependence of $T$$_{c}$ for the BiS$_{2}$-based superconductors isrelated to the lattice parameters at ambient pressure and enable us to estimatethe evolution of $T$$_{c}$ for SmO$_{0.5}$F$_{0.5}$BiS$_{2}$ under pressure.
机译:在La $ _ {1-x} $ Sm $ _ {{x} $ O $ _ {0.5} $ F $ _ {0.5} $ BiS $ _ {2} $上的电阻率测量($ x $ = 0.1,0.3,0.6 ,0.8)已在从2 K到室温的最高2.6 GPa的施加压力下进行。每个样品的超导转变温度$ T $ _ {c} $在依赖于Sm浓度的压力$ P $$ _ {\ rm t} $时显着增加,表明压力引起的相变由低温度$ T $$ _ {c} $到高T $$$ _ {c} $阶段。 Sm浓度较高的化合物在环境压力下具有较高的$ T $$ _ {c} $值;但是,$ P $ $> $ $ P $$ _ {\ rm t} $的$ T $$ _ {c} $值会随着$ x $和$ P $$ _ {\ rm t} $的变化而减少用Sm替代产生更高的压力。在正常状态下,所有样品中的类半导体行为都会受到抑制,并且随着压力的增加会诱导金属导电。这些结果表明,基于BiS $ _ {2} $的超导体对$ T $$ _ {c} $的压力依赖性与环境压力下的晶格参数有关,并使我们能够估计$ T $$ _ {c的演化。 } $表示SmO $ _ {0.5} $ F $ _ {0.5} $ BiS $ _ {2} $在压力下。

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